1EDB7275FXUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDB7275FXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDB9275FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDB7275FXUMA1 1EDB9275FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 300 V/ns
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
العلبة PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8 (150 mil)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40 C to +125 C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
حالة RoHS Compliant Compliant
الوظيفة — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
Number of Channels — 1
تكوين الخرج — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Isolation Voltage (Vrms) — 3 kVrms
Clamping Response Time — 20 ns
Input Logic — Inverting
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر