1EDB7275FXUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDB7275FXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDB9275FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDB7275FXUMA1 1EDB9275FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 300 V/ns
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
Paket PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8 (150 mil)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40 C to +125 C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Fonksiyon — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
Number of Channels — 1
Çıkış Konfigürasyonu — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Isolation Voltage (Vrms) — 3 kVrms
Clamping Response Time — 20 ns
Input Logic — Inverting
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin