1EDB7275FXUMA1 vs 1EDB9275FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDB7275FXUMA1 מאת Infineon ו 1EDB9275FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDB7275FXUMA1 1EDB9275FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 300 V/ns
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
מארז PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8 (150 mil)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40 C to +125 C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
פונקציה — Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting)
Number of Channels — 1
תצורת מוצא — High-side half-bridge
Peak Source/Sink Current — 9 A
Input Voltage (VDD) — 3 V to 15 V
Isolation Voltage (Vrms) — 3 kVrms
Clamping Response Time — 20 ns
Input Logic — Inverting
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר