1EDB8275FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDB8275FXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDB8275FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
العلبة PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (industrial) -40 °C to +125 °C
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
عدد الدبابيس — 14
Standard Reel Quantity — 3000

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر