1EDB8275FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDB8275FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED21834S06JXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDB8275FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
पैकेज PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +125 C (industrial) -40 °C to +125 °C
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
पिन की संख्या — 14
Standard Reel Quantity — 3000

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध