1EDB8275FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDB8275FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21834S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDB8275FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
מארז PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C (industrial) -40 °C to +125 °C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
מספר פינים — 14
Standard Reel Quantity — 3000

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר