1EDI3033ASXUMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDI3033ASXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDI3033ASXUMA1 1EDN7136UXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Isolated single-channel gate driver High-side / Low-side gate driver IC
Technology Coreless transformer isolation —
Output Current (Source/Sink) 12 A typical —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Number of Channels 1 —
Propagation Delay 60 ns typical —
Target Power Device SiC MOSFET, IGBT —
العلبة PG-DSO-20-91 (wide-body) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
Short-Circuit Protection DESAT with programmable blanking —
Miller Clamp Active Miller clamp integrated —
Bootstrap Diode Integrated —
Functional Safety ISO 26262 ASIL D ready —
Creepage Distance 8 mm (typical for wide-body DSO-20) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
عدد المخارج — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر