1EDI3033ASXUMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDI3033ASXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDI3033ASXUMA1 1EDN7136UXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Isolated single-channel gate driver High-side / Low-side gate driver IC
Technology Coreless transformer isolation —
Output Current (Source/Sink) 12 A typical —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms —
Number of Channels 1 —
Propagation Delay 60 ns typical —
Target Power Device SiC MOSFET, IGBT —
מארז PG-DSO-20-91 (wide-body) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
Short-Circuit Protection DESAT with programmable blanking —
Miller Clamp Active Miller clamp integrated —
Bootstrap Diode Integrated —
Functional Safety ISO 26262 ASIL D ready —
Creepage Distance 8 mm (typical for wide-body DSO-20) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Compliance RoHS compliant —
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
מספר יציאות — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +150 C
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family convention)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר