1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7136UXTSA1 2EDN7533RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-side / Low-side gate driver IC Dual-channel low-side gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +150 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر