1EDN7146UXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7146UXTSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7146UXTSA1 | 2EDN7533RXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | Single-channel high-side TDI gate driver | — |
| Maximum Blocking Voltage | 200 V | — |
| Input Configuration | Truly differential (TDI) | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1.5 A / 2.5 A | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] | — |
| زمن الصعود | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] | — |
| زمن السقوط | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] | — |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Target Transistor | GaN SG HEMT or power MOSFET | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Topology Support | Half-bridge, low-side, high-side | — |
| الوظيفة | — | Dual-channel low-side gate driver |
| Number of Channels | — | 2 |
| Input Polarity | — | Inverting |
| Peak Source/Sink Output Current | — | 5 A |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | — | 0.5 ohm |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | — | 0.3 ohm |
| Propagation Delay (typ.) | — | 19 ns |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1.3 ns (typ.) |
| Rise/Fall Time | — | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL |
| Input Voltage Tolerance | — | -12 V to +22 V |
| Supply Voltage VDD (recommended) | — | 4.5 V to 20 V |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | — | 25 V |
| Under-Voltage Lockout | — | Yes (per channel) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 C to +150 C |