1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7550BXTSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
1EDN7550BXTSA1 - 4A/8A Single-Channel Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon
1EDN7550BXTSA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7550BXTSA1 | 1EDN7126GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Configuration | Single-channel, high-side / low-side | — |
| Input Type | Non-inverting, truly differential | Truly Differential Input (TDI) |
| Peak Source Current | 4 A | 1.5 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 1.5 A |
| Supply Voltage (VDD max) | 84 V | — |
| Minimum Input Pulse Width | 29 ns | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay value] | — |
| Input Common-Mode Range | Up to 150 V | — |
| Channel-to-Channel Matching | 1.0 ns typ. | — |
| Internal Regulator | 4.7 V on input side | — |
| Logic Input Compatibility | TTL / CMOS | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 °C to +150 °C | — |
| العلبة | PG-SOT23-6 (SOT-23-6) | PG-VSON-10-4 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الوظيفة | — | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET |
| Configuration | — | Non-Inverting |
| Channel Type | — | Single |
| Driven Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VCC max value] |
| Common-Mode Voltage (CMR) | — | 200 V |
| Propagation Delay (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tpd typical value] |
| Rise / Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| Reach | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) |