1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 1EDN7550BXTSA1 bằng Infineon và 1EDN7126GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
1EDN7126GXTMA1 1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 1EDN7550BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential Truly Differential Input (TDI)
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40 °C to +150 °C —
Hộp PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Chức năng — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá