1EDN8511BXUSA1 vs 2EDN7534FXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN8511BXUSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534FXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN8511BXUSA1 2EDN7534FXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Low-Side, Dual Channel
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Range (logic pins) — -12 V to +22 V (absolute max)
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Output Polarity — Non-Inverting
Output Voltage Clamping — Active, to VDD
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: channel skew]
Under-Voltage Lockout — Yes
دبوس التمكين — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر