1EDN8511BXUSA1 vs 2EDN7534FXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN8511BXUSA1 מאת Infineon ו 2EDN7534FXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN8511BXUSA1 2EDN7534FXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
טמפרטורת צומת פעולה -40 °C to +150 °C —
מארז PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Low-Side, Dual Channel
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Range (logic pins) — -12 V to +22 V (absolute max)
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Output Polarity — Non-Inverting
Output Voltage Clamping — Active, to VDD
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: channel skew]
Under-Voltage Lockout — Yes
פין הפעלה — Yes
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר