1EDN8511BXUSA1 vs 2EDN7534FXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN8511BXUSA1 द्वारा Infineon और 2EDN7534FXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver DSO-8 | Infineon

2EDN7534FXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver DSO-8 | Infineon

2EDN7534FXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDN8511BXUSA1 2EDN7534FXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40 °C to +150 °C —
पैकेज PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Driver Type — Low-Side, Dual Channel
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Range (logic pins) — -12 V to +22 V (absolute max)
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Output Polarity — Non-Inverting
Output Voltage Clamping — Active, to VDD
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: channel skew]
Under-Voltage Lockout — Yes
इनेबल पिन — Yes
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C

डेटाशीट और संसाधन

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