2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDB8275FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDB8275FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21834S06JXUMA1 1EDB8275FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
العلبة PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
عدد الدبابيس 14 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (industrial)
حالة RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
الوظيفة — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر