2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDB8275FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED21834S06JXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDB8275FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED21834S06JXUMA1 1EDB8275FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
Pin Sayısı 14 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (industrial)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Fonksiyon — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin