2ED2304S06FXUMA1 vs IR2304SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2304S06FXUMA1 بواسطة Infineon و IR2304SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2304S06FXUMA1 IR2304SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V, 5 V, 15 V
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) Both High-Side and Low-Side Channels
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة PG-DSO-8-910 (DSO-8) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
عدد المخارج — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر