2ED2304S06FXUMA1 vs IR2304SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2304S06FXUMA1 द्वारा Infineon और IR2304SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IR2304SPBF IR2304SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2304SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2304SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2304S06FXUMA1 IR2304SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V, 5 V, 15 V
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) Both High-Side and Low-Side Channels
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C -40 C to +125 C
पैकेज PG-DSO-8-910 (DSO-8) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
आउटपुट की संख्या — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting

डेटाशीट और संसाधन

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