2EDB9259YXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDB9259YXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDB9259YXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated gate driver IC —
Number of Channels 2 (dual) —
Topology Support Half-bridge / High-side + Low-side —
Peak Source Current 5 A 13.5 A
Peak Sink Current 9 A 14 A
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typ) 38 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching [DATA_NEEDED: delay matching spec] —
VCC Operating Range 4.5 V to 18 V —
VCC Absolute Maximum 36 V —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
العلبة PG-DSO-14 (150 mil DSO wide-body) PG-DSO-8 (DSO-8)
Package Pin Count 14 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر