2EDL8033G4CXTMA1 vs 6EDL04N03PRXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 6EDL04N03PRXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8033G4CXTMA1 6EDL04N03PRXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
عدد المخارج 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSSOP-25
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Three-phase gate driver (6-channel half-bridge)
Number of Drivers — 6
تكوين الخرج — Non-inverting half-bridge
Supply Voltage (VDD) — 10 V to 25 V
Logic Supply Voltage (VSS) — 3.3 V / 5 V
Output Current (Source) — 0.24 A
Output Current (Sink) — 0.375 A
زمن الصعود — 60 ns (typical at 1 nF load)
زمن السقوط — 26 ns (typical at 1 nF load)
Bootstrap Diode — Integrated (3 channels)
Over-Current Protection — Yes (adjustable threshold via ITRIP)
Fault Output — Yes (open-drain)
دبوس التمكين — Yes (EN, active-high)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay]
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — 3
Blocking Voltage — 200 V / 600 V family

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر