2EDL8123GXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8123GXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8123GXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Number of Drivers 2 1
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
العلبة PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 2
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
عدد المخارج — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر