2EDL8123GXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL8123GXUMA1 توسط Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL8123GXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Number of Drivers 2 1
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
بسته‌بندی PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 2
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
تعداد خروجی‌ها — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت