2EDL8123GXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8123GXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8123GXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Number of Drivers 2 1
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 2
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
מספר יציאות — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר