2EDL8124GXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8124GXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8124GXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis —
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] —
العلبة PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
عدد المخارج — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر