2EDL8124GXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8124GXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3142MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL8124GXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis —
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] —
Paket PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Çıkış Sayısı — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin