2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7533RXTMA1 2EDN7534RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Dual-channel low-side gate driver Low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V -12 V to +22 V (absolute max)
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
تكوين الخرج — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر