2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDN7533RXTMA1 מאת Infineon ו 2EDN7534RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDN7533RXTMA1 2EDN7534RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Dual-channel low-side gate driver Low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V -12 V to +22 V (absolute max)
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +150 C —
מארז PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-TSSOP-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
תצורת מוצא — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
רמת MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר