2N7002L vs BSS138LT1G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2N7002L بواسطة onsemi و BSS138LT1G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2N7002L BSS138LT1G
العلامة التجارية onsemi onsemi
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 50 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 200 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 225 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters
Manufacturer onsemi —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر