2N7002L vs BSS138LT1G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2N7002L מאת onsemi ו BSS138LT1G מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2N7002L BSS138LT1G
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 50 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 200 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 225 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מארז SOT-23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters
Manufacturer onsemi —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Channel Mode — Enhancement Mode
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר