AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BCNTR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4B-62BCNTR بواسطة Alliance Memory و AS4C512M16D4-75BCNTR بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ نشط
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR
العلامة التجارية Alliance Memory Alliance Memory
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $7.90
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit (512M x 16) —
معدل البيانات 3200 MT/s 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
زمن الوصول CAS 19 ns —
جهد التغذية 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
الواجهة Parallel Parallel
العلبة 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
درجة حرارة التشغيل 0°C to 95°C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Density — 8 Gbit
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
نطاق درجة حرارة التشغيل — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر