AS4C512M16D4B-62BCNTR vs AS4C512M16D4-75BCNTR So sánh

So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4B-62BCNTR bằng Alliance Memory và AS4C512M16D4-75BCNTR bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR
Thương hiệu Alliance Memory Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $7,90
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit (512M x 16) —
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s 2666 Mbps per pin
Clock Frequency 1600 MHz 1.333 GHz
Latency CAS 19 ns —
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Giao diện Parallel Parallel
Hộp 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Density — 8 Gbit
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V)
Prefetch Architecture — 8n
Internal Bank Count — 16 banks
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0C to +95C (case, commercial)
Process Technology — 20nm-class DRAM
Termination — On-die termination (ODT)
Refresh Modes — Auto-refresh and self-refresh
Packaging Option — Tape & Reel (TR suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá