BSC014N06NSATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC014N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC072N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC014N06NSATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 74 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 156 W 69 W
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
العلبة PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر