BSC014N06NSATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC014N06NSATMA1 द्वारा Infineon और BSC072N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 - 80V 74A N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC072N08NS5ATMA1 - 80V 74A N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC072N08NS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC014N06NSATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 74 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 156 W 69 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
पैकेज PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

डेटाशीट और संसाधन

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