BSC014N06NSATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC072N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC014N06NSATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 74 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 156 W 69 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
پیکیج PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں