BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC015NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon و BSC010NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC015NE2LS5IATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 50 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | 8 |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS (Trench) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |