BSC016N06NSTATMA1 vs IPP60R180P7XKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC016N06NSTATMA1 بواسطة Infineon و IPP60R180P7XKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC016N06NSTATMA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC016N06NSTATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 31 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 1.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 167 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | N/A (through-hole) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | OptiMOS | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| عدد الدبابيس | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |