BSC016N06NSTATMA1 vs IPP60R180P7XKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC016N06NSTATMA1 بذریعہ Infineon اور IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC016N06NSTATMA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC016N06NSTATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 31 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 1.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 167 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Through Hole |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | N/A (through-hole) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | OptiMOS | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| پنز کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |