BSC016N06NSTATMA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC016N06NSTATMA1 tarafından Infineon ve IPP60R180P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC016N06NSTATMA1 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC016N06NSTATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 31 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 1.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 167 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55 °C to +150 °C |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | N/A (through-hole) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Series | OptiMOS | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |