BSC019N04LSTATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N04LSTATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N04S6N022ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC019N04LSTATMA1 | IAUC100N04S6N022ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 161 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 85 nC | — |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | 94 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | — | 2.2 mOhm |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (IAUC family) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Q_g | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |