BSC019N04LSTATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6N022ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC019N04LSTATMA1 | IAUC100N04S6N022ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 161 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 85 nC | — |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | 94 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | -55C to +175C (junction) |
| پیکیج | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | — | 2.2 mOhm |
| Polarity | — | N-Channel enhancement mode |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (IAUC family) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Q_g | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |