BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC019N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |