BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC019N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC019N08NS5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin