BSC020N03LSGATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSZ018NE2LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC020N03LSGATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
العلبة — PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر