BSC020N03LSGATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC020N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSZ018NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC020N03LSGATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Paket / Kas PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 25V
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Paket — PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin