BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC021N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC021N08NS5ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
مستوى MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Product Family — OptiMOS 3
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 83 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر