BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC021N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC021N08NS5ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
سطح MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Product Family — OptiMOS 3
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
اتلاف توان (TC=25°C) — 83 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت