BSC023N08NS5SCATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC023N08NS5SCATMA1 بواسطة Infineon و IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC023N08NS5SCATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
مستوى MSL — 1
Marking Code — 020N10LF

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر