BSC023N08NS5SCATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC023N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB020N10N5LFATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC023N08NS5SCATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
MSL لیول — 1
Marking Code — 020N10LF

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں