BSC023N08NS5SCATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil BSC023N08NS5SCATMA1 dari Infineon dan IPB020N10N5LFATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum BSC023N08NS5SCATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Suhu Hubung Kerja -55 °C to +175 °C —
Paket PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
Rentang Suhu Kerja — -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Level MSL — 1
Marking Code — 020N10LF

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon